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射频功率晶体管封壳
产品概述
射频功率晶体管封壳
可全面实现国产化替代
封壳通常采用可伐金属环框高温钎焊陶瓷射频馈通组件、金属散热底板结构。 本类封装外壳产品外形结构、尺寸以及射频馈通管脚数可定制。 配套盖板采用台阶盖结构，满足平行缝焊工艺。 图示样品采用2pin射频功率晶体管标准封装结构，封口面尺寸为16㎜X16㎜，可同位替代进口功率管封壳。
RF传输端口电压驻波比示例
封壳射频馈通采用
HTCC陶瓷
工艺，能满足
C波段
要求，最高可满足
X波段
指标。
封壳散热底板采用CPC、CMC、钨铜、钼铜等高散热材料，热导率最高
260W/m.K
。若采用Cu-Dia材料，其热导率可达
580W/m.K
。
封壳镀层、平面度等参数可根据用户实际微组装工艺特点进行定制化调整，能够满足
自动化微组装
工艺要求。
设计图纸
